Zum Einsatz kommen kann 3D XPoint sowohl als Arbeitsspeicher (RAM) als auch zur normalen Datenablage. Die beiden Unternehmen versprechen dabei eine bis zu zehnmal höhere Dichte als bei DRAM. Soll heißen, dass sich auf gleichbleibendem Platz das Zehnfache an Daten unterbringen lässt. Erreicht werden diese Werte, indem Bits nicht wie bei aktuellen Flash-Speichern als Spannungsniveau, sondern als Veränderung des Widerstands in einer Zelle gespeichert werden. Zudem werden die Speicherzellen noch in mehreren Lagen übereinander (deshalb "3D") gelagert.

Wann wir damit rechnen können?

Sowohl Intel als auch Micron haben bereits mit der Fertigung begonnen. Erste Muster sollen noch 2015 an ausgewählte Tester ausgeliefert werden. Fürs Erste sollen die neuen Speicher mittels PCIe-Schnittstelle angeschlossen werden. Dadurch lassen sich zwar die Möglichkeiten von 3D XPoint nicht vollständig ausnutzen - etwas Schnelleres bieten normale Mainboards aktuell aber nicht. Es wird hier also auch an den Mainboard-Herstellern liegen, möglichst bald entsprechende Hauptplatinen zu entwickeln, um die neue Generation an Speicher entsprechend anbinden zu können.